I denne artikkelen prøver vi å forstå Ohms lov og Kirchhoffs lov gjennom standard ingeniørformler og forklaringer, og ved å bruke lineær førsteordens differensialligning for å løse eksempler på problemstillinger.
I denne delen skal vi analysere BJT common-base konfigurasjon, og lære om dens kjørepunkt karakteristikker, omvendt metningsstrøm, base til emitter spenning og evaluere parametrene gjennom
Felteffekttransistoren (FET) er en elektronisk enhet der et elektrisk felt brukes til å regulere strømmen. For å implementere dette brukes en potensiell forskjell på tvers
Darlington transistor er en velkjent og populær forbindelse ved hjelp av et par bipolare transistor junction transistor (BJT), designet for å fungere som en enhetlig 'superbeta' transistor. Følgende diagram viser
Alle detaljer angående bipolar transistor eller BJT nettverk DC forspenningsprosedyrer og beregninger er diskutert i dette kapittelet
En digital-til-analog-omformer (DAC, D / A, D2A eller D-til-A) er en krets designet for å konvertere et digitalt inngangssignal til et analogt utgangssignal. Analog-til-digital-omformeren (ADC) fungerer på motsatt måte og forvandler et analogt inngangssignal til en
I transistorer kan overføringsegenskaper forstås som å tegne en utgangsstrøm mot en inngangsstyrende størrelse, som følgelig viser en direkte 'overføring' av variabler fra inngang til utgang i
I bipolare krysstransistorer blir faktoren som bestemmer følsomhetsnivået til enheten for basestrøm, og forsterkningsnivået ved samleren kalles beta eller hFE.
Denne konfigurasjonen er kjent som common-emitter-konfigurasjon fordi her brukes emitteren som den vanlige negative terminalen for inngangssignalet og utgangsbelastningen. Med andre ord,
Innlegget forklarer historien til bipolar kryssstransistor, som oppfant transistoren, dens interne konstruksjonsstruktur og operasjonelle detaljer.
Forspenning av terminalene til en bipolar transistor ved bruk av et beregnet resistivt delernettverk for å sikre optimal ytelse og bytterespons kalles spenningsdelerforspenning. I forrige skjevhet
Innleggsdetaljene angående hvordan du designer emitterstabilisert forspenningskrets med BJTer gjennom ligninger og eksempler på evalueringer
Lær hva som er lastelinjeanalyse og hvordan du implementerer det med en praktisk krets og gjennom en grafisk analyse.
I dette innlegget lærer vi hva som er metning i BJT, og diskuterer de forskjellige metodene for å bestemme metningsstrømnivået til en bipolar transistor
En tunneldiode er en type halvlederdiode som har en negativ motstand på grunn av en kvantemekanisk effekt kjent som tunneling. I dette innlegget vil vi lære
En varaktordiode, også kalt varicap, VVC (spenningsvariabel kapasitans, eller innstillingsdiode, er en type halvlederdiode som har en variabel spenningsavhengig kapasitans på sin p-n-kryss når
I elektronikk er retting en prosess der en likeretterdiode konverterer et alternerende fullsyklus AC-inngangssignal til et halvt syklus DC-utgangssignal. En enkelt diode produserer
Selv om transistorer (BJT) ofte brukes til å lage forsterkerkretser, kan disse også brukes effektivt til å bytte applikasjoner. En transistorbryter er en krets der samleren av
Dette innlegget vil hjelpe deg med å forstå noen av de viktige komparatorparametrene eller spesifikasjonene som vanligvis finnes i komparatorens IC-datablad. Noen av de viktigste parametrene som
En BJT vanlig samlerforsterker er en krets der samleren og basen til BJT deler en felles inngangsforsyning, derav navnet felles samler. I vår